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目前，用现有粉末冶金工艺制备的钨靶内部组织和晶粒尺寸的均匀性已不能满足溅射工艺越来越高的要求。下面银河galaxy娱乐厂家先容一种新的钨靶制备方法。
1.提供比表面积大于或等于1.1MVG的钨粉；
2..将钨粉放入厚度为3mm~5mm的橡胶外壳或厚度为2.5~3.0mm的铝制真空套管中。
3.将橡胶包膜或铝套置于冷等静压炉中，将橡胶包或铝包膜中的钨粉首次致密，形成钨靶坯，冷等静压温度在室温，冷等静压压力大于或等于150 MPa，在冷等静压压力下保持1小时至10小时。
4.致密处理后，除去橡胶包膜或铝套，通过感应烧结工艺对钨靶坯进行二次致密，形成第二钨靶坯。感应烧结是在感应烧结炉中进行的，感应烧结炉的真空度小于或等于10-1Pa，感应烧结炉的感应烧结温度设定为1700°C-1900°C。感应烧结炉感应烧结的加热速率为3°C≤min~10°C/min；
5.在此感应烧结温度下，保温时间为15至20小时。
6.经二次致密化处理后，第二次钨靶坯经热等静压工艺第三次致密，形成钨靶材料。
以上银河galaxy娱乐所述热等静压工艺在热等静压炉中进行，将所述热等静压炉进行抽真空处理至热等静压炉的真空度小于等于lOOPa，设置所述热等静压炉的热等静压温度为1700°C-1900°C，设置所述热等静压炉的热等静压升温速度为3°C/min-10°C/min，设置热等静压炉的热等静压压力大于等于180MPa，并在所述热等静压温度和热等静压压力下保温2小时-5小时。
